РЕАЛИЗАЦИЯ ТЕХНОЛОГИИ ХИМИЧЕСКОГО ...
Полупроводники на основе карбида кремния могут работать при высоких частотах, например в радио- и микроволновом диапазонах, благодаря более высокой скорости дрейфа насыщенных электронов, чем у кремния [9].
Read More
Химическое осаждение (PECVD) карбида
Химическое осаждение (PECVD) карбида кремния (SiC). Описание и особенности процесса осаждения. Необходимое оборудование вы можете купить в Техноинфо.
Read More
Карбид кремния, свойства, применение ...
В составе химического соединения примерно 70% кремния Si и около 30% углерода C. В чистом виде карборунд бесцветен, от наличия примесей зависит цвет и тип
Read More
В Чем Заключается Cvd-Процесс Получения Карбида ...
Модернизируйте свое лабораторное оборудование с помощью передовых систем CVD (Chemical Vapor Deposition) для осаждения карбида кремния, предлагаемых
Read More
Карбид кремния / Центр Абразивов
4 天之前 Шлифкруги из зеленого карбида кремния используют для доводки металлообрабатывающего инструмента, твердых сплавов, керамики, камня и для
Read More
(PDF) Кинетика химического осаждения
2000.9.1 кинЕтикА химичЕского осАждЕния кАрБидА крЕмния также очень слабой интенсивностью пика СС-связей в ...
Read More
Производство карбида кремния (CVD, CVI)
2024.2.21 Карбид кремния изготавливается из метилтрихлорсилана методом химического осаждения из газовой фазы (CVD – chemical vapor deposition), а также
Read More
Диссертация на тему «Процессы получения ...
2006.5.16 Диссертация на тему «Процессы получения композиционных материалов и покрытий на основе карбида кремния химическим газофазным
Read More
Диссертация на тему «Технология структур ...
2006.5.27 КАРБИДА КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ. 1.1. Способы получения и особенности технологии роста гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/Si. 1.1.1.
Read More
Физические принципы осаждения из газовой фазы ...
2007.4.1 Влияние состава ХКС на спектры ИК-поглощения не столь значительно для образцов, осажденных в реакторе с «холодной» стенкой (рисунок 19), что указывает на близость химического состава кристаллитов карбида кремния.
Read More
Низкотемпературныая технология получения ...
Низкотемпературныая технология получения эпитаксиальных структур карбид кремния на ...
Read More
Диссертация на тему «Технология структур ...
2006.5.27 1.1.3. Процессы осаждения 3C-SiC на кремниевые подложки 1.2. Базовые методы исследования структур 3C-SiC/Si ГЛАВА 2. РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ ГАЗОФАЗНОГО ОСАЖДЕНИЯ КАРБИДА КРЕМНИЯ НА КРЕМНИЕВЫЕ ...
Read More
«Основная сила» полупроводникового ...
2024.3.18 Компоненты карбида кремния CVD в оборудовании для травления включают фокусирующие кольца, газовые душевые насадки, лотки, краевые кольца и т. д. Благодаря низкой реакционной способности и проводимости карбида ...
Read More
Получение композиционных материалов на основе ...
С.Л. Шикунов, В.Н. Курлов. "Получение композиционных материалов на основе карбида кремния силицированием углеродных матриц." Журнал технической физики 87.12 (2017) 1871
Read More
РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТРУБ ...
2021.6.22 4 Оборудование Для пропитки матрицы и формирования покрытия SiC в АО «ВНИИНМ» была разработана и изготовлена установка осаждения SiC из газовой
Read More
РЕАЛИЗАЦИЯ ТЕХНОЛОГИИ ХИМИЧЕСКОГО ...
Полупроводники на основе карбида кремния могут работать при высоких частотах, например в радио- и микроволновом диапазонах, благодаря более высокой скорости дрейфа насыщенных электронов, чем у кремния [9].
Read More
Оборудование для роста монокристаллов карбида ...
Установка предназначена для выращивания объемных монокристаллов карбида кремния методом сублимации (метод ЛЭТИ). На данной установке можно выращивать кристаллы от 4 до 6 дюймов.
Read More
Исследование влияния условий химического ...
Диссертация 2008 года на тему: "Исследование влияния условий химического осаждения из газовой фазы на микроструктуру пленок карбида кремния" Автор: Митченко, Иван Сергеевич. 162 с. : ил.
Read More
Химическое осаждение (PECVD) карбида кремния (SiC ...
Химическое осаждение (PECVD) карбида кремния (SiC). Описание и особенности процесса осаждения. Необходимое оборудование вы можете купить в Техноинфо. Пожалуйста, запросите коммерческое предложение или позвоните нам ...
Read More
«НИКА-SiC»: выращивание карбида кремния ЗАО ...
2024.4.15 ⭐⭐⭐⭐⭐Выращивание кристаллов карбида кремний. Заказать качественную технику «НИКА-SiC» в Московской области. ... а также оборудование для выращивания кристаллов.
Read More
Карбид кремния — свойства, получение и ...
Первые коммерческие светодиоды были также на основе карбида кремния. Жёлтые светодиоды из 3C-SiC были изготовлены в СССР в 1970-х годах, а синие (из 6H-SiC), по всему миру — в 1980-х.
Read More
Материалы на основе карбида кремния и ...
2019.5.15 Новизна Проекта состоит в идее создания гетеропереходов MO/SiC на основе широкозонных полупроводников различной природы: карбида кремния и оксидов металлов.
Read More
ФИЗИЧЕСКИЕ ПРИНЦИПЫ ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ...
2014.5.26 На правах рукописи Тарала Виталий Алексеевич ФИЗИЧЕСКИЕ ПРИНЦИПЫ ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ...
Read More
Карбид кремния - полупроводниковый материал ...
2024.1.12 Карбид кремния SiC - это соединение, образованное ковалентной связью между кремнием (Si) и углеродом (C). Его основной единицей является тетраэдр Si-C, в котором атом Si расположен в центре, а
Read More
РЕАЛИЗАЦИЯ ТЕХНОЛОГИИ ХИМИЧЕСКОГО ...
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ УНИТАРНОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ «ВСЕРОССИЙСКИЙ НАУЧНО ...
Read More
Казахский национальный университет имени аль ...
2013.12.19 химического парофазного осаждения (MOCVD) на подложках кремния и сапфира, исследование их свойств для дальнейшей разработки дешевого
Read More
Твердые сплавы и минералокерамические материалы
2024.4.19 Для метода химического осаждения из газовой среды (CVD) используется установка BERNEX BPXpro 530 L-T (Германия). ... керамика на основе карбида титана и нитрида кремния.
Read More
Химическое обогащение шлифматериалов - НОВЫЕ ...
2024.2.12 Химическое обогащение шлифматериалов Основной задачей химического обогащения шлифпорошков и микропорошков карбида кремния и других абразивных материалов является увеличение содержания основного материала и ...
Read More
ФИЗИЧЕСКИЕ ПРИНЦИПЫ ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ...
2014.5.26 На правах рукописи Тарала Виталий Алексеевич ФИЗИЧЕСКИЕ ПРИНЦИПЫ ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ...
Read More
Диссертация на тему «Получение ...
2006.5.27 Карачинов, Владимир Александрович. Получение профилированных монокристаллов карбида кремния методами сублимации и электрической эрозии: дис. доктор технических наук: 05.27.06 - Технология и оборудование для ...
Read More
Карбид кремния, свойства, применение ...
В составе химического соединения примерно 70% кремния Si и около 30% углерода C. В чистом виде карборунд бесцветен, от наличия примесей зависит цвет и тип проводимости кристаллов: p-типа (бериллий, галлий, бор) или n-типа ...
Read More
Карбид кремния: свойства, описание, применение ...
2022.12.16 Инновации на основе применения карбида кремния: Разработана технология закалки стекла наночастицами карбида кремния.
Read More
Получение композиционных материалов на основе ...
2017.1.1 Для получения керамики и композиционных материалов на основе SiC используют методы реакционного спекания [8 ...
Read More
Заказать диссертацию Митченко Иван Сергеевич ...
Митченко Иван Сергеевич. Исследование влияния условий химического осаждения из газовой фазы на микроструктуру пленок карбида кремния Кол-во страниц: 200 ВУЗ: Сев.-Кавказ. гос. техн. ун-т
Read More
РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТРУБ ...
2021.6.22 4 Оборудование Для пропитки матрицы и формирования покрытия SiC в АО «ВНИИНМ» была разработана и изготовлена установка осаждения SiC из газовой
Read More
РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТРУБ ...
2021.6.22 4 Оборудование Для пропитки матрицы и формирования покрытия SiC в АО «ВНИИНМ» была разработана и изготовлена установка осаждения SiC из газовой
Read More
Физические принципы осаждения из газовой фазы ...
1.9 Области применения карбида кремния. 71 1.10 Заключение к главе I 73 ГЛАВА II. Методы синтеза и исследования пленок карбида кремния и углерода 75 2.1 Материалы 75 2.2 Методика подготовки подложек . 76
Read More
Диссертация на тему «Особенности структуры ...
2007.4.1 - по теме «Создание композиционных керамических мишеней на основе карбида кремния и родственных ему материалов для осуществления процесса вакуумной лазерной абляции» ГК № П714 от 20 мая 2010 г.
Read More
ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ ОСАЖДЕНИЯ НА СОСТАВ И ...
В настоящее время для синтеза пленок карбида кремния (SiC) применяют методы химического осаждения из газовой фазы (CVD). В зависимости от температуры процесса синтеза получают моно
Read More
